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使用Cl2/Ar/H2的混合氣體，在150℃下雖能獲得較好的磷化銦圖形，高溫度下可以獲得光滑連續(xù)的圖形形貌，但150℃的溫度畢竟已經(jīng)不能算是低溫。 2007年清華大學(xué)報(bào)道了進(jìn)一步優(yōu)化氣體配比并改善其他條件的方法來(lái)克服這些難題，該蝕刻方法可以在室溫條件下克服副產(chǎn)物難揮發(fā)的難題。因?yàn)楹线m的CH4和氯氣的氣體配比會(huì)形成In(CH)x的副產(chǎn)物，這類(lèi)副產(chǎn)物較InClx更容易揮發(fā)去除。

氧自由基和不飽和鍵接觸等離子體中的反應(yīng)性粒子以形成新的反應(yīng)性基團(tuán)?？捎糜趪娡亢陀∷ⅲ?3.當(dāng)原料的表面被等離子體改變時(shí)，表面的分子鏈被切割形成新的分子鏈，考慮到等離子體中的活性分子對(duì)表面分子的影響。氧自由基。雙鍵等反應(yīng)性基團(tuán)使表面交聯(lián)。支化等反應(yīng)；四。使用等離子體活性氣體進(jìn)行表面聚合時(shí)，在原料表面形成沖積層，沖積層的存在提高了原料表面的附著力；五。

為了提高滲透速度，采用滲透前部件外表的高頻淬火處理，表面淬火處理后部件表層的組織為馬氏體和殘留奧氏體，兩者都是結(jié)構(gòu)缺陷，此外，部件表層還具有大量應(yīng)力、位錯(cuò)等缺陷，這些缺陷為之后的低溫氮滲透技術(shù)提供能量和結(jié)構(gòu)支持另外，部件經(jīng)表面淬火處理后，表層強(qiáng)度大大提高，降(低)了基體與滲氮層之間的強(qiáng)度系數(shù)，改進(jìn)了滲氮層剝落狀況，加強(qiáng)了滲氮層與基體的結(jié)合性。

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