此外，銅表面附著力難做電路板的BGA和組件安裝的其他區(qū)域需要清潔的銅表面，殘留物的存在影響焊接的可靠性。采用等離子體去除BGA區(qū)殘留物，以空氣為氣源進(jìn)行等離子體清洗。實(shí)際應(yīng)用證明了其可行性，達(dá)到了清洗的目的。。在等離子體表面處理,粒子的能量通常是幾個(gè)到十電子伏特左右,比聚合物材料的鍵能大得多(十幾個(gè)電子伏特),它可以打破化學(xué)鍵的有機(jī)大分子,導(dǎo)致新鍵能,但遠(yuǎn)低于高能輻射,它只涉及材料的表面，不影響基體的性能。

在目前典型銅互連工藝中，銅表面附著力難做銅的上表面會(huì)有一層電介質(zhì)阻擋層SiCON來阻擋Cu擴(kuò)散和作為蝕刻停止層，所以銅結(jié)構(gòu)中電遷移主要沿Cu與電介質(zhì)阻擋層SiCON的界面進(jìn)行。在電介質(zhì)阻擋層沉積之前使用等離子體清理銅的自氧化層并將銅表面硅化能有效地改善EM，在銅表面覆蓋能固定銅離子抑制其擴(kuò)散的合金是另一種大幅度改善EM的方式，例如沉積一層很薄的Co或者CoWP。電遷移的兩種測(cè)試結(jié)構(gòu)，分別為上行電遷移和下行電遷移結(jié)構(gòu)。

用于晶圓級(jí)封裝預(yù)處理的等離子體清洗機(jī)晶圓級(jí)封裝(WLP)是先進(jìn)的芯片封裝方式之一，銅表面附著力難做即整片晶圓生產(chǎn)出來后，直接在晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后將整片晶圓切割成單個(gè)晶粒；電氣連接部分采用銅凸點(diǎn)代替線鍵的方法，因此不存在填線或填膠工藝。WLP預(yù)處理的目的是去除無機(jī)物，減少氧化層，增加銅表面粗糙度，提高產(chǎn)品的可靠性。

沖擊式二氧化碳激光要注意的是加工盲孔時(shí),激光只能發(fā)射至銅箔表面,對(duì)表面的有機(jī)物完全不必去除,為了穩(wěn)定清洗銅表面,應(yīng)以化學(xué)蝕刻或等離子體蝕刻作為后處理。

銅表面附著力差怎么解決

如果銅電極表面沒有CuO，只有Cu原子，基本不會(huì)觀測(cè)到銅進(jìn)入電介質(zhì)，所以CMP時(shí)研磨液的選擇、CMP后銅表面清洗、在H2環(huán)境下還原CuO、隔絕水汽以避免水氧化Cu都對(duì)low-k TDDB非常關(guān)鍵。

等離子處理可以很好地去除干膜殘留物。此外，在電路板上安裝元件時(shí)，BGA等區(qū)域需要干凈的銅表面，殘留物的存在會(huì)影響焊接可靠性。等離子用于去除 BGA 區(qū)域的殘留物，空氣用作等離子清洗的氣源。實(shí)際應(yīng)用證明了其可行性，達(dá)到了清洗的目的。。采用等離子表面處理技術(shù)，粒子的能量通常為數(shù)至10電子伏特，遠(yuǎn)高于高分子材料的結(jié)合能（數(shù)至10電子伏特），使有機(jī)聚合物的化學(xué)鍵斷裂。

2.嚴(yán)格遵守使用條件機(jī)械設(shè)備的使用條件在設(shè)計(jì)時(shí)就確定了。如果設(shè)備嚴(yán)格按照使用條件使用，很少會(huì)出現(xiàn)故障。例如，電壓、速度、溫度和安裝條件都是根據(jù)設(shè)備的特點(diǎn)來確定的。3.使設(shè)備恢復(fù)正常一個(gè)裝置即使具備了基本條件和有保障的使用條件，也很難做到盡善盡美，因此設(shè)備也會(huì)變質(zhì)失效。所以讓隱性惡化變得明顯，讓它回到正常狀態(tài)。這意味著我們要經(jīng)常對(duì)設(shè)備進(jìn)行正確的檢查和預(yù)防性維修。

即便雇傭?qū)＜液蛯W(xué)者等專業(yè)人士作為顧問，由于他們不一定有技術(shù)商品化方面的經(jīng)驗(yàn)，因此也很難做出投資決定。在這種情況下，資本所.有者作為投資主體時(shí)，雖然投資決策有充分的資本支持和市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)支持,但在技術(shù)支持上有明顯的缺陷。反過來,以技術(shù)成果所有者為投資主體運(yùn)作時(shí),雖然投資決策有充分的技術(shù)支持,但在資本和市場(chǎng)兩個(gè)方面明顯地缺乏支持。

銅表面附著力難做

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目前主流的解決方案是等離子清洗技術(shù);利用等離子清洗機(jī)解決了糊盒口粘接開膠問題，銅表面附著力難做優(yōu)點(diǎn)十分明顯。