用來模擬大氣等離子處理設(shè)備下介質(zhì)阻擋徑向演變的二維模擬自然地由于放電強(qiáng)度較大，徑向附著力大氣壓下氣體放電流體模擬中的多尺度問題、計(jì)算穩(wěn)定性等問題比低氣壓下放電問題更加突出。。等離子表面處理機(jī)去膠法，除膠氣體為氧氣。該方法通過將電路板置于真空反應(yīng)系統(tǒng)中，通入少量氧氣，再加上高頻高壓，由高頻信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號(hào)，在石英管中形成較強(qiáng)的電磁場，將氧離子化，形成氧離子、活化氧原子、氧分子和電子等混合物質(zhì)的輝光柱。

通過比較分布可以看出，徑向附著力不同尺寸的玻璃環(huán)的內(nèi)護(hù)套對(duì)于不同內(nèi)徑的玻璃環(huán)的護(hù)套是不同的。您可以看到粒子上的徑向約束是不同的。對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的進(jìn)一步分析表明，在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，不同玻璃環(huán)的內(nèi)徑不影響等離子體鞘層的厚度。護(hù)套的厚度與氣壓、放電功率、介電材料等有關(guān)。研究結(jié)果對(duì)于詳細(xì)研究非常重要。分析各種約束條件下等離子體鞘內(nèi)帶電粒子的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)以及等離子體鞘對(duì)加工的影響。。

通過圖像處理擬合得到內(nèi)護(hù)套徑向二維分布，徑向附著力是什么玻璃環(huán)內(nèi)護(hù)套具有四階多項(xiàng)式分布形式。正在研究不同內(nèi)徑玻璃環(huán)中等離子體鞘層的分布規(guī)律。金屬電極的護(hù)套形成一個(gè)勢(shì)阱，灰塵顆粒可以結(jié)合到該勢(shì)阱上。由于帶電粒子漂浮在鞘層邊界附近，因此可以使用粒子分布來獲得鞘層分布。沒有方向限制。它是拋物線勢(shì)，但它是二次多項(xiàng)式形式的勢(shì)。顆粒的平衡位置靠近玻璃環(huán)。比較不同內(nèi)徑玻璃環(huán)內(nèi)鞘的分布情況，不同尺寸的玻璃環(huán)內(nèi)鞘對(duì)顆粒的影響。徑向約束是不同的。

為處理上述技術(shù)問題，徑向附著力是什么作為本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選施行例，在密封圈本體內(nèi)側(cè)設(shè)置第二凸部，憑借第二凸部可以前進(jìn)密封圈軸向的密封功能。類似地，本實(shí)用新型供給的等離子體加工設(shè)備，由于選用本實(shí)用新型供給的密封圈，憑借易于變形的DI一凸部和第二凸部不只可以分別前進(jìn)密封圈徑向和軸向的密封功能，使得背吹空間獲得杰出的密封，然后可以削減因氦氣泄露對(duì)工藝腔室真空度的影響，一起削減氦氣的運(yùn)用量，下降出產(chǎn)本錢。

徑向附著力是什么意思

同樣，本實(shí)用新型提供的等離子處理設(shè)備，由于選用本實(shí)用新型提供的密封圈，加上易變形的DI凸部和第二凸部，不僅可以分別提升密封圈的徑向和軸向密封功能，使反吹空間得到很好的密封，進(jìn)而減少氦氣泄漏對(duì)處理室真空度的影響，一起減少氦氣的利用量，從而降低生產(chǎn)成本。

為解決上述技術(shù)問題，作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述第二凸部設(shè)置在所述密封圈主體內(nèi)部，通過所述第二凸部沿軸向推進(jìn)所述密封圈的密封功能。 .能夠。方向。同樣，本發(fā)明提供的等離子處理裝置通過選擇本發(fā)明提供的密封圈，通過一個(gè)易于變形的DI-1突起，提供密封圈的徑向和軸向密封功能。前進(jìn)。該部分和第二脊可以充分密封反吹空間，減少氦氣泄漏??對(duì)工藝室真空度的影響，減少氦氣的使用，降低制造成本。

這是因?yàn)殡S著等離子體能量密度的增加，等離子體中的電子能量和電子密度增加，導(dǎo)致高能電子與H2發(fā)生非彈性碰撞。增加活性物種產(chǎn)生的可能性，增加 C2H6 的轉(zhuǎn)化率，增加其他產(chǎn)品所需的各種 CHx 和 C2Hx 徑向濃度，并增加 C2H4 和 C2H2 的濃度。增加生成。 ..當(dāng)?shù)入x子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)乙烷的轉(zhuǎn)化率可達(dá)59.2%，乙烯和乙炔的總收率可達(dá)37.9%。

不同介質(zhì)材料在等離子體中形成的鞘層厚度不同，因此，置于金屬下板上的玻璃環(huán)中鞘層的分布是復(fù)雜的，它不僅與等離子體參數(shù)有關(guān)，還與玻璃環(huán)的尺寸有關(guān)。當(dāng)玻璃環(huán)半徑較小時(shí)，環(huán)內(nèi)鞘層的徑向分布可用拋物線勢(shì)近似模擬。在這種拋物線勢(shì)的約束下，帶點(diǎn)的粒子很容易形成庫侖球，但當(dāng)玻璃環(huán)半徑較大時(shí)，環(huán)內(nèi)勢(shì)的分布不再是拋物線勢(shì)，勢(shì)的復(fù)雜分布可能引起粒子的各種復(fù)雜運(yùn)動(dòng)。

徑向附著力

當(dāng)重力與護(hù)套靜電力達(dá)到平衡時(shí)，徑向附著力粉塵顆粒會(huì)懸浮在護(hù)套附近。因此，粒子的位置可以用來近似鞘層邊界，比探頭測量更精確。研究通常用于板上面的金屬環(huán)放置或玻璃環(huán)管理塵埃粒子的水平運(yùn)動(dòng)和不同電介質(zhì)材料形成的等離子體鞘層厚度是不同的,因此,在金屬板上玻璃環(huán)鞘層的分布更為復(fù)雜,這不僅與等離子體參數(shù)有關(guān)，還與玻璃環(huán)的尺寸有關(guān)。當(dāng)玻璃環(huán)半徑較小時(shí)，內(nèi)護(hù)套的徑向分布可以用拋物線勢(shì)近似。