成品在使用過程中，未經過電暈處理的啞膜點火瞬間溫度升高，會在粘接面的微小縫隙中產生氣泡，損壞點火線圈，嚴重的還會引起爆炸。經過等離子體處理后，不僅可以去除表面難處理的揮發(fā)油漬，還可以大大提高骨架的表面活性，即提高骨架與環(huán)氧樹脂的結合強度，避免產生氣泡，提高纏繞后漆包線與骨架觸點的焊接強度。這樣，點火線圈在生產過程各方面的性能都得到了明確（明顯）的改善，提高了可靠性和使用壽命。

芯片與基板粘合后，經過電暈處理的塑料經過高溫固化，其上的污染物很可能包括微顆粒和氧化性物質等，這些污染物從物理和化學反應中造成引線與芯片、基板之間焊接不完全或粘合不良，導致粘合強度不足。引線鍵合前用射頻低溫等離子體清洗可明顯提高表面活性，進而提高鍵合絲的鍵合強度和張力均勻性。鍵合工具頭的工作壓力可以較低（當有污染物時，鍵合頭需要很大的工作壓力才能穿透污染物），在某些情況下還可以降低鍵合溫度，從而提高效率，節(jié)約成本。

活性粒子有許多不同類型，未經過電暈處理的啞膜它們比正?；瘜W反應更豐富、更高能，更容易與接觸物質的表面發(fā)生反應，因此，通常采用等離子體對材料表面進行改性，使材料暴露在非聚合氣體等離子體中，等離子體轟擊材料表面，引起材料表面結構的許多變化，從而實現(xiàn)其活化改性。而且，很多材料經過等離子體改性后，其功能層（幾到幾百納米）極薄，不會影響整體宏觀性能，屬于無損工藝。

另一個特點是提高了填料邊緣高度，未經過電暈處理的啞膜提高了包裝機械強度，降低了由于材料之間熱膨脹系數不同而產生的界面間剪切應力，提高了產品的可靠性和壽命。4.3切屑粘連的清洗等離子體表面清洗可以在芯片鍵合前使用，因為未經處理的數據表明一般的疏水性和惰性，其表面鍵合功能一般較差，鍵合過程中攻擊界面上的孔洞非常簡單。

經過電暈處理的塑料

等離子體處理后，CIs的高能端尾消失，我們發(fā)現(xiàn)未經等離子體處理的SiC表面Cls峰相對于等離子體處理后遷移0.4ev，這是由于表面存在C/C-H化合物所致。未通過等離子體處理的Si-C/Si-O峰強度比（面積比）為0.87。處理后的Si-C/Si-O的XPS峰強比（面積比）為0.21，比未處理的Si-C/Si-O降低75%。濕法處理的表面Si-O含量明顯高于等離子體處理的表面。

它不僅是低溫等離子體出現(xiàn)在物體上的第四種狀態(tài)，而且人們已經認識到低溫等離子體存在于現(xiàn)實中多個應用領域的結合。低溫等離子體部分或完全電離混合氣體，而自由電子、離子正負電荷全部沖入，宏觀角度為中性電。。等離子體表面清洗可用于在鍵合前對芯片進行處理。由于未經處理的材料表現(xiàn)出一般的疏水性和惰性，其表面結合性能通常較差，在結合過程中容易在界面產生空洞。

采用等離子清洗技術，一方面在點膠封裝過程中可以對電聲器件的涂層表面進行粗糙化處理，它提高了器件的表面粗糙度，提高了涂層表面的結合能，大大提高了其親水性能，有利于膠液的流動和平鋪，提高了結合效果，有利于減（降）膠工藝過程中氣泡的形成，有利于器件工藝之間的分支結合；另一方面，在錫絲焊接過程中，物理和化學反應模式并存，在多次烘烤和固化時可有效去除表面氧化層和有機污染物，從而提高錫絲焊絲的結合張力，增強引線、焊點和基板之間的焊接強度，進一步提高成品率，增加生產效率。

鑒于晶圓清洗是半導體制程技術中最重要、最重要的制程工序，同時其制程技術產品的優(yōu)劣將直接影響電子元件的合格率、穩(wěn)定性和安全性，因此全球各大企業(yè)和科研組織對清潔制程技術的科學研究一直在持續(xù)進行。等離子體清洗機作為一種現(xiàn)代干法試驗清洗技術，具有環(huán)保、節(jié)能的特點。隨著微電子工業(yè)的快速發(fā)展，等離子體清洗機在半導體芯片中的使用也逐漸增多。半導體中需要一些有機和無機化合物。

未經過電暈處理的啞膜

達到一定真空度后，經過電暈處理的塑料引入反應氣體，反應氣體電離形成等離子體，與晶圓表面發(fā)生化學物理反應，產生的揮發(fā)性物質被抽走，使晶圓表面清潔親水。1.用于清洗晶圓的等離子清洗機：1-1：晶圓的等離子清洗在0級以上的潔凈室中進行，對顆粒要求極高。任何顆粒超標都會在晶圓上造成無法彌補的缺陷。

在等離子體的高溫下，未經過電暈處理的啞膜由于參與反應的材料不受電極材料的污染，可用于精煉高純耐火材料，如熔煉藍寶石、無水石英、拉絲單晶、光纖，精煉鈮、鉭、海綿鈦等。②高頻等離子體速度低（約0～10m/s)，弧柱直徑大。近年來，它在實驗室中得到了廣泛的應用，便于大量的等離子體過程實驗。工業(yè)上制備金屬氧化物、氮化物、碳化物或冶煉金屬時，反應物長時間停留在高溫區(qū)，使氣相反應充分。