當(dāng)射頻功率為200W～600W，10系列小功率電暈處理機(jī)氣壓為mT～120mT或140mT～180mT時(shí)，清洗10min～15min可獲得較好的清洗效果和結(jié)合強(qiáng)度。直徑為25μm的金絲鍵合絲經(jīng)等離子體清洗后，平均鍵合強(qiáng)度提高到6.6gf以上。倒裝焊前的清洗在芯片倒裝封裝中，通過等離子體清洗芯片和載體，提高其表面活性，再進(jìn)行倒裝鍵合，可以有效防止或減少空隙，提高粘接性能。

當(dāng)物質(zhì)由低能聚合狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楦吣芫酆蠣顟B(tài)時(shí)，10系列小功率電暈處理機(jī)會(huì)從外界供給能量（如溫度、電場、輻射等），由固體轉(zhuǎn)變?yōu)橐后w或由液體轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w。每個(gè)粒子需要0.01eV(1eV=1.6022&乘以10-19焦耳），當(dāng)氣體進(jìn)一步從外部吸收能量時(shí)，分子的熱運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步加劇，分子解離為原子，原子中的電子獲得足夠的能量脫離電子，成為自由電子。

在織物外觀上完成新的化學(xué)功能，小功率電暈處理機(jī)可以促進(jìn)外觀與染料之間的反應(yīng)，進(jìn)而大大提高織物層間的附著力。此外，有可能完成漿料的無水脫除。以上的例子只是等離子體織物外部處理技術(shù)的許多潛在應(yīng)用中的幾個(gè)。通過等離子體外觀處理來改變織物的外觀功能是一個(gè)非常復(fù)雜的過程。等離子體中的粒子引起的反射通常發(fā)生在數(shù)據(jù)表面的10nm以內(nèi)。等離子體發(fā)射的短波紫外輻射引起的響應(yīng)的影響范圍較深，在離外表面nm的深度內(nèi)。

。玻璃光學(xué)鏡片，10系列小功率電暈處理機(jī)樹脂鏡片等離子，UV/IR鏡片活化-等離子清洗機(jī)。一是玻璃光學(xué)鏡片等離子體清洗機(jī)，樹脂鏡片的等離子體清洗機(jī)，UV/IR鏡片活化等離子體清洗機(jī)利用能量轉(zhuǎn)換技能，在一定真空負(fù)壓的條件下，通過電能將氣體轉(zhuǎn)化為高活性氣體等離子體，可以輕柔地沖洗固體樣品的外觀，引起分子結(jié)構(gòu)的變化，從而對(duì)樣品外觀上的有機(jī)污染物進(jìn)行超清洗。在極短的時(shí)間內(nèi)，通過外置真空泵將有機(jī)污染物完全抽走，其清潔能力可達(dá)分子級(jí)。

10系列小功率電暈處理機(jī)

40kHz的自偏壓約為0V，13.56MHz的自偏壓約為250V，20MHz的自偏壓更低，這三種激發(fā)頻率的機(jī)理不同，40kHz的反應(yīng)是物理反應(yīng)，13.56MHz的反應(yīng)既有物理反應(yīng)也有化學(xué)反應(yīng)，20MHz有物理反應(yīng)，但主要反應(yīng)是化學(xué)反應(yīng)，如果材料需要活化改性，要用13.56MHz或20MHz等離子體清洗，40kHz的自偏壓約為0V。13.56MHz的自偏壓約為250V，20MHz的自偏壓較低。

通過適當(dāng)?shù)墓に嚄l件對(duì)材料表層進(jìn)行處理，明顯改變材料表層的形貌，引入多種含氧基團(tuán)，使表層由非極性、不易粘接變?yōu)橐欢O性、易粘接、親水性，提高了結(jié)合面的表面能，不會(huì)對(duì)表層造成任何損傷，也不會(huì)使表層出現(xiàn)涂層、電鍍層剝離。

等離子體清洗設(shè)備中氧等離子體對(duì)AlGaN/GaN HEMT表面處理的影響；氮化物（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其良好的物理、化學(xué)和電學(xué)性能成為目前研究最多的半導(dǎo)體材料。它是繼第一代半導(dǎo)體材料硅（Si）和第二代半導(dǎo)體材料砷化物(GaAs)、磷化物（GaP）和磷化銅（InP）之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。

Z在內(nèi)壁測試，其表面要承受高溫和極高的表面熱負(fù)荷（Z約為20MWm-2)，還要承受核聚變反應(yīng)釋放的能量高達(dá)14MeV的中子的輻照，輻照量將有數(shù)百dPa。同時(shí)，14MeV中子的(n2p)和(n，α)核嬗變反應(yīng)產(chǎn)生大量氫和氦，會(huì)對(duì)材料的性能產(chǎn)生很大影響?？梢哉f，世界上現(xiàn)有的材料沒有一種能勝任第一堵墻的工作要求。

10系列小功率電暈處理機(jī)