等離子體中有正負(fù)電荷、亞穩(wěn)態(tài)分子和原子。另一方面，電暈機(jī)表面處理的原理當(dāng)各種活性顆粒在被清洗物體表面相互接觸時(shí)，各種活性顆粒會(huì)與物體表面雜質(zhì)的污垢發(fā)生反應(yīng)，形成揮發(fā)性氣體等物質(zhì)，從而將揮發(fā)性物質(zhì)抽入真空泵。例如，ROS等離子體氧化材料表面的有機(jī)物質(zhì)。相反，各種活性顆粒會(huì)轟擊清潔材料表面，使污染在材料表面的雜質(zhì)隨真空泵的氣流被吸走。

相信有朋友注意到了，電暈機(jī)表面處理的原理在等離子體清洗設(shè)備輝光放電過程中，真空室有時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出不同顏色的工作環(huán)境，這主要是由于引入的氣體不同造成的。等離子體清洗機(jī)使用的工藝氣體不同，電離后形成的等離子體顏色也不同。常見的工藝氣體有氬氣、氧氣、氮?dú)狻⒍趸嫉龋?a href="http://d8d.com.cn/" target="_blank">等離子清洗設(shè)備引入不同的工藝氣體時(shí)，也可稱為氬等離子體清洗機(jī)和氧等離子體清洗機(jī)&HELLIP；&Hellip；諸如此類。

小銀膠村底：污染物會(huì)導(dǎo)致膠體銀呈球形，等離子電暈機(jī)表面處理不利于貼片，易刺傷芯片。使用RF等離子清洗可大大改善表面粗糙度和親水性，有利于銀膠體和瓷磚貼屑。同時(shí)，使用量可節(jié)省銀膠，降低成本。拱形鍵合：芯片與基板鍵合前和高溫固化后，存在的污染物可能含有微粒和氧化物，這些污染物鉛的物理化學(xué)反應(yīng)和芯片與基板的焊接不完全，鍵合強(qiáng)度差，附著力不足。引線鍵合前，射頻等離子體清洗可顯著提高鍵合引線的表面活性、鍵合強(qiáng)度和抗拉強(qiáng)度。

4.生長優(yōu)勢(shì)明顯：Crf等離子體表面處理后，等離子電暈機(jī)表面處理種子活力和各種酶活性顯著提高，顯著促進(jìn)植株根系生長，根數(shù)和干物質(zhì)重顯著增加。主要表現(xiàn)為根狀莖粗壯結(jié)節(jié)，生長快，作物生長旺盛，植株一般健壯；5.促早熟增產(chǎn)：采用Crf等離子表面處理儀表面處理技術(shù)對(duì)處理作物進(jìn)行改良，使果實(shí)早成熟，平均籽粒產(chǎn)量提高8%~12%。。

等離子電暈機(jī)表面處理

等離子體表面處理技術(shù)可以快速徹底地去除物體表面的污染物，可以增加這些材料的粘度、親水性、焊接強(qiáng)度和疏水性。電離過程易于控制，安全重復(fù)使用，不會(huì)對(duì)材料造成任何損傷和二次污染。是提高產(chǎn)品可靠性的理想表面處理技術(shù)。通過等離子體設(shè)備表面活化、刻蝕和表面沉積，等離子體技術(shù)可以改善大多數(shù)物質(zhì)的性能：清潔度、親水性、拒水性、附著力、標(biāo)記性、潤滑性和耐磨性。1.灰化金屬表面有機(jī)層表面將受到物理轟擊和化學(xué)處理。

發(fā)射光在清洗金屬表面中的作用；等離子體同時(shí)發(fā)光，光能高，穿透力大。在光的作用下，金屬表面污垢分子的分子鍵斷裂，有利于促進(jìn)污染物分子進(jìn)一步活化，清除金屬表面污垢。綜上所述，等離子體表面處理器主要依靠等離子體中的電子、離子、激發(fā)態(tài)原子、自由基等活性離子的活化，使金屬表面有機(jī)污染物的大分子逐漸分解，形成穩(wěn)定易揮發(fā)的簡單小分子，將粘在表面的污垢與表面徹底分離。

因此，如果化學(xué)反應(yīng)是主要反應(yīng)，就需要控制較高的壓力來反應(yīng)。2)等離子體物理反應(yīng)它主要是利用等離子體中的離子進(jìn)行純物理沖擊，敲除材料表面的原子或附著在材料表面的原子，因?yàn)閴毫^低時(shí)離子的平均自由基較輕較長，而且它們已經(jīng)積累了能量，物理沖擊中離子的能量越高，沖擊越大。因此，如果以物理反應(yīng)為主，就要控制較高的壓力進(jìn)行反應(yīng)，這樣清洗效果更好。由于未來半導(dǎo)體和光電子材料的快速增長，這一領(lǐng)域的應(yīng)用需求將越來越大。

當(dāng)能量密度達(dá)到300kJ/mol時(shí)，引發(fā)等離子體反應(yīng)。隨著能量密度的增加，C2H6和CO6的轉(zhuǎn)化率增加，C2H4和C2H2的總收率增加，直到能量密度達(dá)到1500kJ/mol。能量密度的進(jìn)一步增加導(dǎo)致等離子體放電不穩(wěn)定。在流動(dòng)等離子體反應(yīng)器中，能量密度的增加意味著高能電子能量和數(shù)目的增加，這將有利于反應(yīng)方程（3-26）到（3-29）,等離子體反應(yīng)器中活性物種的相對(duì)量增加。

電暈機(jī)表面處理的原理

一般低溫等離子體的能量為幾至幾十電子伏特（電子0～20eV，電暈機(jī)表面處理的原理離子0～2eV，亞穩(wěn)態(tài)離子0～20eV，紫外/可見光3～40eV)。由此可以看出，低溫等離子體的能量高于化學(xué)鍵的能量，已經(jīng)使PTFE表面的分子鍵斷裂，產(chǎn)生刻蝕、交聯(lián)、活化等一系列物理化學(xué)反應(yīng)。利用各種非聚合氣體(Ar、He、O2、N2、H20空氣等）對(duì)聚四氟乙烯表面層進(jìn)行活化和功能化，形成相應(yīng)的低溫等離子體已成為研究的熱點(diǎn)。

在芯片封裝生產(chǎn)中，等離子電暈機(jī)表面處理等離子體清洗工藝的選擇取決于后續(xù)工藝對(duì)材料表面的要求、材料表面的原始特性、化學(xué)成分和表面污染物的性質(zhì)。在半導(dǎo)體后方生產(chǎn)過程中，由于指紋、助焊劑、焊料、劃痕、污漬、灰塵、樹脂殘留物、自熱氧化、有機(jī)物體等，等離子清洗技術(shù)可以輕松去除這些在生產(chǎn)過程中形成的分子級(jí)污染物，從而顯著提高封裝的可制造性、可靠性和良品率。下面我們來談?wù)勥@四種工藝的應(yīng)用。