在直流電壓的作用下，附著作用和附著力正負(fù)電暈均在尖端電極附近積聚空間電荷。在負(fù)電暈中，當(dāng)電子引起碰撞電離時(shí)，它們被驅(qū)離尖端電極并形成負(fù)離子，而正離子積聚在電極表面附近。隨著電場(chǎng)繼續(xù)增強(qiáng)，正離子被吸引到電極和脈沖電暈電流出現(xiàn)，而負(fù)離子擴(kuò)散到間隙空間。然后重復(fù)電離和帶電粒子的過程。這種循環(huán)使許多電暈電流脈沖出現(xiàn)。電暈放電可以在大氣壓下工作，但需要足夠高的電壓來增加電暈處的電場(chǎng)。
優(yōu)點(diǎn) 1、等離子清洗后，附著作用和附著力被清洗物干燥，無需進(jìn)一步干燥即可送入下道工序?？梢蕴岣哒麄€(gè)工藝線的加工效率。 2.等離子清洗使用戶遠(yuǎn)離人體中的有害溶劑。第三，該清洗方式避免使用三氯乙烷等ODS有害溶劑，防止清洗后有害污染物的產(chǎn)生，是一種環(huán)保的綠色清洗方式。隨著世界對(duì)環(huán)境保護(hù)的極大興趣，這一點(diǎn)變得越來越重要。第四，無線電范圍內(nèi)的高頻產(chǎn)生的等離子體不同于激光等直射光。
當(dāng)硅電極厚度降低到一定程度時(shí)，附著作用和附著力需要更換新的硅電極。因此，硅電極是晶圓蝕刻工藝的核心耗材。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，芯片的線寬不斷縮小，硅芯片的規(guī)模不斷擴(kuò)大。芯片線寬由130nm、90nm、65nm逐漸發(fā)展到45nm、28nm、14NM，達(dá)到了7nm先進(jìn)制造工藝的技術(shù)水平，同時(shí)硅片已經(jīng)從4英寸、6英寸、8英寸發(fā)展到12英寸，未來將突破到18英寸。
等離子清洗機(jī)的關(guān)鍵是低溫等離子體的應(yīng)用，附著作用和附著力它主要依賴于高溫、高頻、高能等外界條件產(chǎn)生，是一種電中性、高能量、全部或部分離子化的氣態(tài)物質(zhì)。低溫等離子體的能量約為幾十電子伏特，其中所包含的離子、電子、自由基等活性粒子以及紫外線等輻射線很容易與固體表面的污染物分子發(fā)生反應(yīng)而使其脫離，進(jìn)而可起到清洗的作用。同時(shí)由于低溫等離子體的能量遠(yuǎn)低于高能射線，因此此技術(shù)只涉及材料表面，對(duì)材料基體性能不產(chǎn)生影響。
附著作用和附著力
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