物理清洗：表面反應以物理反應為主的等離子清洗。也稱為濺射蝕刻 (SPE)。例：Ar + e- → Ar ++ 2e-Ar ++ 污染 → 揮發(fā)性污染 Ar + 在自偏壓或外加偏壓的作用下加速產生動能，蝕刻芯片與光刻芯片的比較然后一般去除氧化物。清潔工件用于。 ，環(huán)氧樹脂溢出或顆粒污染物，表面能活化等離子清洗機是利用低溫等離子的特性對被處理材料進行等離子表面處理的設備。

在等離子去污中，蝕刻芯片是什么將面板置于真空箱中，從電源引入氣體，將其轉化為等離子體，等離子體在面板表面發(fā)生反應，真空泵將揮發(fā)性樹脂的污染去除。等離子表面處理設備的去污研究較多。研究人員研究了等離子機腔的蝕刻速率分布和我們確定了刻蝕速率與時間的關系，確定了剛撓板中聚酰亞胺、丙烯酸粘合劑和環(huán)氧樹脂三種材料的刻蝕速率與等離子體參數(shù)的關系。

.. 2.表面活化（化學）溶液通過等離子表面處理機后，蝕刻芯片表面能、親水性、粘附性和粘附性都有所提高。 3.表面蝕刻液 材料表面通過反應性氣體等離子體選擇性蝕刻，蝕刻后的材料轉化為氣相并由真空泵排出。處理后材料的微觀比表面積增加，親水性好。四。在用等離子清潔劑處理納米（米）涂層溶液后，等離子引導聚合形成納米（米）涂層。

利用等離子體技術的活性物理、化學和電磁流體特性，蝕刻芯片與光刻芯片的比較可以在高生產速度、高能量和無污染的情況下，實現(xiàn)常規(guī)濕法處理無法實現(xiàn)的一系列反應過程和處理（效果）。 ，且加工對象廣泛。整體成本低，無需烘干工序，占用空間小。等離子體通過氣體放電瞬間產生，表面特性可以在幾秒鐘內改變，達到4小時。它不僅（激活）約 5 分鐘，而且被蝕刻到微米級厚度以使其更厚。例如，氧等離子體可以去除物體表面的油漬。

蝕刻芯片與光刻芯片的比較

涂層和粘合。形狀、寬度、高度、材料類型、工藝類型以及這些材料是否需要在線處理，都直接影響和決定了等離子表面處理設備的整體解決方案。等離子處理設備廣泛應用于等離子清洗、蝕刻、等離子電鍍、等離子鍍膜、等離子灰化、表面改性等領域。這種處理可以提高材料表面的潤濕性，進行各種材料的涂鍍、電鍍等操作，提高粘合強度和粘合強度，同時去除有機污染物、油和油脂。

..等離子體限制環(huán)將等離子體直接聚焦在晶片上，加速蝕刻并提供均勻的等離子體覆蓋，將等離子體與晶片本身而不是周圍區(qū)域分開。由于可以提高蝕刻速度，因此無需提高電極溫度或增加吸盤偏壓。該環(huán)由絕緣的非導電材料制成，鋁等離子和鋁之間的導電路徑僅限于晶片區(qū)域。圓環(huán)帶和框架片之間有 2 毫米的間隙。不產生等離子體，或者因為它位于晶片和膠帶的底部，所以底切和分層被最小化，并且晶片表面上沒有濺射或膠帶沉積。

離子注入、干法蝕刻、干法剝離、UV 輻射和薄膜沉積會導致等離子體損傷，但不能用傳統(tǒng)的 WAT 結構監(jiān)測，并可能導致器件過早失效。等離子工藝廣泛用于集成電路制造，例如等離子蝕刻、等離子增強化學氣相沉積和離子注入。具有方向性好、反應快、溫度低、均勻性好等優(yōu)點。但它也會造成電荷損壞。隨著柵氧化層厚度的不斷減小，這種損壞將越來越多地影響MOS器件的可靠性，因為它會影響氧化層的固定電荷密度和界面密度。

等離子清洗機又稱等離子蝕刻機、等離子脫膠機、等離子活化劑、等離子清洗機、等離子表面處理機、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子處理設備廣泛用于等離子清洗、等離子刻蝕、等離子晶片分層、等離子鍍膜、等離子灰化、等離子活化、等離子表面處理。同時，它去除有機污染物、油和油脂。 (3) 陶瓷封裝，提高涂層質量，陶瓷封裝 通常，金屬漿料印刷電路板用作鍵合區(qū)和覆蓋密封區(qū)。

蝕刻芯片與光刻芯片的比較

干式泵組作為性能優(yōu)良的泵組具有諸多優(yōu)點。一是高清潔度，蝕刻芯片是什么避免油污，二是高速真空處理，提高工作效率，三是工作性能穩(wěn)定，噪音低，4對各種惡劣工作環(huán)境低能滿足的工作環(huán)境要求。分子泵組合：分子泵組常用于鍍膜機、蝕刻機等對真空環(huán)境要求較高的設備，因為它們可以創(chuàng)造潔凈的超高真空環(huán)境。分子泵組很厲害，但是有什么好處呢？一是分子泵組啟動快，泵速非?？?。二、分子泵組不使用石油，不會造成油污染。第三，維修方便。