半導(dǎo)體等離子清洗機(jī)應(yīng)用
由于工藝原因，半導(dǎo)體制造需要一些有機(jī)和無機(jī)物質(zhì)參與，半導(dǎo)體晶片不可避免地會(huì)受到各種雜質(zhì)的污染。
根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可以分為四類：顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物。
這些污染物的形成原因，部位及去除辦法：
顆粒：顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)。
這種污染物通常吸附在晶片表面，影響器件光刻工藝的幾何圖形形成和電學(xué)參數(shù)。
這類污染物的去除方法主要是通過物理或化學(xué)方法對(duì)顆粒進(jìn)行清理，逐漸減小顆粒與晶圓表面的接觸面積，然后去除。
有機(jī)物：有機(jī)雜質(zhì)來源廣泛，如人體皮膚油脂、細(xì)菌、機(jī)油、真空油脂、光刻膠、清洗溶劑等。
這類污染物通常會(huì)在晶圓表面形成有機(jī)薄膜，以防止清洗液到達(dá)晶圓表面，導(dǎo)致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的晶圓表面上金屬雜質(zhì)等污染物保持完好。
此類污染物的去除通常在清潔過程的一開始的步驟進(jìn)行，主要使用硫酸和過氧化氫。
金屬：半導(dǎo)體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。
這些雜質(zhì)的來源主要包括各種容器、管道、化學(xué)試劑以及半導(dǎo)體晶片加工過程中的各種金屬污染。
經(jīng)常使用化學(xué)方法去除這類雜質(zhì)，各種試劑和化學(xué)物質(zhì)配制的清洗液與金屬離子反應(yīng)形成金屬離子絡(luò)合物，與晶圓表面分離。
氧化物：暴露在氧氣和水中的半導(dǎo)體晶片表面會(huì)形成自然氧化層。
這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟，還含有一些金屬雜質(zhì)，在一定條件下會(huì)轉(zhuǎn)移到晶片上形成電缺陷。
這種氧化膜的去除通常是通過浸泡在稀氫氟酸中來完成的。
等離子清洗的優(yōu)勢：
在不破壞晶圓芯片及其他所用材料的表面特性、熱學(xué)特性和電學(xué)特性的前提下，清洗去除晶圓芯片表面的有害沾污雜質(zhì)物，對(duì)半導(dǎo)體器件功能性、可靠性、集成度等顯得尤為重要。
等離子清洗的基本技術(shù)原理如下：
在密閉的真空腔體中，通過真空泵不斷抽氣，使得壓力值逐漸變小，真空度不斷提高，分子間的間距被拉大，分子間作用力越來越小，利用等離子發(fā)生器產(chǎn)生的高壓交變電場
將Ar、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發(fā)、震蕩形成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，進(jìn)而與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到表面清潔、活化、刻蝕等目的。
等離子清洗并不會(huì)破壞被處理的材料或者產(chǎn)品的固有特性，發(fā)生改變的僅僅是表面納米級(jí)的厚度，被清洗的材料或產(chǎn)品表面污染物被去除，分子鍵打開后極其微小的結(jié)構(gòu)變化，
形成一定的粗糙度或者是在表面產(chǎn)生親水性的官能基，使得金屬焊接的可靠性增強(qiáng)、不同材料之間的結(jié)合力提高等，從而提高產(chǎn)品的信賴度、穩(wěn)定性，延長產(chǎn)品的使用壽命。
等離子去氧化物：
利用H2、O2等活躍性氣體的特性，使之發(fā)生還原反應(yīng)或形成多鍵結(jié)構(gòu)的活性官能團(tuán)，進(jìn)行表面改性。
其化學(xué)化應(yīng)式：O2＋e- →2O*＋e- O*＋有機(jī)物→CO2＋H2O,H2＋e- →2H*＋e- H*＋非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬＋H2O
因此：氧等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可使非揮發(fā)性有機(jī)物變成易揮發(fā)的H2O和CO2。氫等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可以去除金屬表面氧化層，清潔金屬表面。
等離子去膠：
O2與CF4在真空腔內(nèi)，經(jīng)電離形成電子，離子，自由基和游離基團(tuán)。
O2+CF4=O+OF+CF3+C0+COF+F+E
等離子體與高分子材料發(fā)生反應(yīng)（常用的高分子材料：C，H，O，N）
C，H，O，N+O+OF+CF3+C0+COF+F+E=CO2+H2O+NO2+.....
等離子去有機(jī)物:
大量攜能電子轟擊污染物分子，使其電離、解離和激發(fā)，然后便引發(fā)了一系列復(fù)雜的物理、化學(xué)反應(yīng)，然后由真空泵將污染物抽走去除。
