例:O2+e→2O*+e-O*+有機物→CO2+H2O從反應公式中可以看出，金屬表面打砂處理氧等離子體可以通過化學反應將非揮發(fā)性有機物轉(zhuǎn)變?yōu)閾]發(fā)性的H2O和CO2。例:H2+e→2H*+e-H*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O從反應公式可以看出，氫等離子體可以通過化學反應去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。物理清洗：以物理反應為主要表面反應的等離子體清洗，也叫濺射蝕刻(SPE)。

考慮到大氣壓等離子體放電過程獨特，金屬表面處理附近其應用不同于真空環(huán)境下產(chǎn)生的等離子體，我們今天單獨討論大氣壓等離子體。1.介質(zhì)阻擋放電的定義介質(zhì)阻擋放電(DBD)是介質(zhì)材料插入金屬電極之間產(chǎn)生的一種非平衡氣體放電。

等離子體表面處理會改變材料本身的性能嗎？等離子體表面處理僅對Amy-micron材料表面進行處理，氟鋯酸金屬表面處理僅對材料表面進行改性，對材料整體性能沒有影響。。等離子體表面處理是解決玻璃、塑料、金屬、橡膠等材料粘接難問題的有效方法。

從機理上看，金屬表面處理附近等離子體清洗一般包括以下過程：無機氣體被等離子體激發(fā)；氣相物質(zhì)吸附到固體表面；吸附基團與固體表面分子反應形成產(chǎn)物分子；產(chǎn)物分子分解成氣相；反應殘留物與表面分離。等離子體處理器清洗技術(shù)的特點是無論被處理對象的基板類型如何，都可以進行處理。它可以處理金屬、半導體、氧化物和大多數(shù)高分子材料，如聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧甚至聚四氟乙烯，可以進行全面、局部和復雜結(jié)構(gòu)的清洗。

氟鋯酸金屬表面處理

等離子清洗機在生物醫(yī)學PEEK數(shù)據(jù)中的應用PEEK數(shù)據(jù)是一種應用廣泛的聚合物數(shù)據(jù)，由于其突出的生物相容性、尺寸穩(wěn)定性和皮質(zhì)骨與松質(zhì)骨之間的彈性模量，在醫(yī)學非金屬植入中也被廣泛應用。例如人體骨骼、脊柱植入物、傷口修復、口腔醫(yī)學中的臨時基牙、正畸應用中的愈合帽和咬合棒等，PEEK數(shù)據(jù)之所以能廣泛應用于生物醫(yī)學領(lǐng)域，離不開等離子清洗機的外觀處理技術(shù)。

因此，利用等離子體清洗劑對磁存儲器進行等離子體刻蝕所面臨的挑戰(zhàn)如下：常規(guī)反應等離子體(RIE)面臨金屬蝕刻副產(chǎn)物非揮發(fā)性的問題；2.超薄單層材料疊層的結(jié)構(gòu)要求極高的刻蝕選擇性和方向性；③金屬蝕刻常用的鹵素氣體易腐蝕超薄金屬材料層。

在曲率半徑較大的尖端電極附近，局部電場強度超過氣體的電離場強度，導致氣體電離激發(fā)，產(chǎn)生電暈放電。當電暈發(fā)生時，可以看到電極周圍有光，并伴有滋滋作響的聲音。電暈放電可以是一種相對穩(wěn)定的放電形式，也可以是不均勻電場間隙擊穿過程中的早期發(fā)展階段。電暈放電的形成機理因針尖電極極性而異，主要是電暈放電過程中空間電荷的積累和分布不同所致。在直流電壓作用下，負電暈和正電暈都在尖端電極附近積累空間電荷。

2.當?shù)入x子體發(fā)生器輝光放電區(qū)的等離子體發(fā)生器電流再次增大(10～10安培）時，陰極受到快離子轟擊，在低氣壓下發(fā)射電子，這些電子在電場作用下向陽極方向加速。在陰極附近存在電位差較大的陰極電位下降區(qū)。等離子體發(fā)生器電極之間的中間部分是電位梯度較小的正柱區(qū)，其中介質(zhì)是非平衡等離子體。正柱中的電子和離子以相同的速度向壁面擴散，并在壁面重新結(jié)合釋放能量（沒有氣體對流時就是這種情況）。

金屬表面處理附近

由于直流電壓下電場方向不變，金屬表面處理附近表面電荷難以消散，大量積累的電荷會導致復合絕緣子附近電場畸變，導致復合絕緣子放電，甚至沿表面閃絡(luò)，嚴重威脅DCGIL設(shè)備的安全（完整）穩(wěn)定運行。因此，等離子體設(shè)備被用來解決這一問題。。

等離子體清洗機/等離子體處理器/等離子體處理設(shè)備廣泛應用于等離子體清洗、等離子體刻蝕、隔離膠、等離子體涂層、等離子體灰化、等離子體處理和等離子體表面處理等領(lǐng)域。