分別在脈沖電暈等離子體和無聲放電等離子體條件下實現(xiàn)了 CO2 重整的 CH4 反應(yīng)。直接法是將CH4和CO2一步制備C2烴，cob等離子體蝕刻可實現(xiàn)微波、流柱放電、高頻等離子體作用下的反應(yīng)。 LIU 是一種流柱排放法，在特定排放功率下，根據(jù) CO2 和 CH4 的不同摩爾比和甲烷轉(zhuǎn)化率，使用 HE（占總氣體流量的 60% 至 80%）作為平衡氣體。被采納。

第二種是等離子體處理裝置，cob等離子體蝕刻包括激發(fā)電極、激發(fā)氣體回路等。等離子體發(fā)生器發(fā)射等離子體，在等離子體的作用下，材料表面呈部分化學(xué)鍵斷裂，形成小分子產(chǎn)物，氧化成CO、CO等。這些產(chǎn)品在泵送過程中被泵出，導(dǎo)致表面不平整，材料粗糙度增加。為了提高產(chǎn)品的附著力，可以說可以應(yīng)用于粘合劑的附著力和電鍍，使用等離子清洗機(jī)。在將需要粘合的零件通過等離子清洗機(jī)之前，可以成功解決粘合問題。

印刷、焊接和噴涂預(yù)處理。高分子材料通過N2.NH.02.SO2等清洗設(shè)備進(jìn)行處理。這改變了表面層的化學(xué)成分并引入了相應(yīng)的新官能團(tuán)（如-NH2.-OH-COOH-SO3H）。這些官能團(tuán)將聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯等完全惰性的基材轉(zhuǎn)化為官能團(tuán)材料，cob等離子體蝕刻機(jī)器提高了表層的極性、親水性、附著力和反應(yīng)性，大大提高了其使用價值。與氧氣清洗設(shè)備不同，氟氣的低溫等離子體處理可以將氟原子引入基材的表層，使基材具有疏水性。

隨著供氣中CO2濃度從15%增加到85%，cob等離子體蝕刻CH4的轉(zhuǎn)化率逐漸提高，從以下結(jié)果可以看出轉(zhuǎn)化率。 CO2 百分比變化的峰值。當(dāng)CO2濃度為50%～65%時，達(dá)到24%左右。研究表明，在等離子等離子體的作用下，CO2 對 CH4 進(jìn)行氧化的一個重要步驟是產(chǎn)生活性物質(zhì)。即等離子體產(chǎn)生的高能電子與 CH4 和 CO2 分子發(fā)生彈性或非彈性碰撞。 CH 不斷被破壞。 , CHX (X = 1-3) 產(chǎn)生自由基。

cob等離子體蝕刻機(jī)器

CO2 裂解 C-0 鍵產(chǎn)生活性氧，并與 CH4 或甲基自由基反應(yīng)產(chǎn)生更多的 CHX (X = 1-3)。自由基。供氣中的 CO2 濃度越高，提供的活性氧種類越多，CH 轉(zhuǎn)化率越高。因此，CH轉(zhuǎn)化率與系統(tǒng)中高能電子的數(shù)量和活性氧濃度兩個因素有關(guān)。

CO2 的轉(zhuǎn)化率與高能電子與 CO2 分子的碰撞有關(guān)，這種彈性或非彈性碰撞有利于以下情況： (1) CO2 的 CO 裂解生成 CO：CO2 + E * & RARR; CO2 + O + E (4-1) CH4 消耗氧反應(yīng)性物質(zhì)有利于反應(yīng)向右移動。 （2）基態(tài)的CO2分子吸收能量，轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)的CO2分子。顯然，CO2 的轉(zhuǎn)化主要依賴于前者。

參考模型為：相關(guān)信息： 1.--視頻等離子清洗機(jī)表面SERS預(yù)熱，有哪些變化？每個過程都需要準(zhǔn)確調(diào)整。這是確保高產(chǎn)品質(zhì)量的先決條件。等離子清洗機(jī)可以滿足汽車行業(yè)預(yù)處理工藝的要求，例如通過等離子清洗工藝去除制造和有機(jī)硅殘留物。等離子活化還可用于粘合劑預(yù)處理和噴涂，如高性能塑料的等離子蝕刻和等離子涂層作為增粘劑（底漆），消費者對產(chǎn)品的需求不斷增加。

半導(dǎo)體雜質(zhì)的污染及分類在半導(dǎo)體制造中，完成時需要涉及一些有機(jī)和無機(jī)物質(zhì)。此外，由于該過程總是由人在無塵室中完成，因此半導(dǎo)體晶片不可避免地會受到各種雜質(zhì)的污染。根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可分為四類：顆粒物、有機(jī)物、金屬離子和氧化物。 1.1 顆粒 顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)。這些污染物通常主要通過范德華引力吸附到晶片表面。這會影響器件光刻工藝的形狀組成和電氣參數(shù)。

cob等離子體蝕刻機(jī)器

半導(dǎo)體雜質(zhì)的污染及分類在半導(dǎo)體制造中，cob等離子體蝕刻機(jī)器完成時需要涉及一些有機(jī)和無機(jī)物質(zhì)。此外，由于該過程總是由人在無塵室中完成，因此半導(dǎo)體晶片不可避免地會受到各種雜質(zhì)的污染。根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可分為四類：顆粒物、有機(jī)物、金屬離子和氧化物。 1.1 顆粒 顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)。這種污染物通常主要通過范德華引力吸附到晶片表面。這會影響器件光刻工藝的形狀組成和電氣參數(shù)。