蝕刻氣體，CCP等離子刻蝕機(jī)主要是 O2，通常用于實(shí)現(xiàn)足夠高的還原率。在循環(huán)蝕刻過程中，SiO2 和 Si3N4 被同時(shí)蝕刻并停止在下面的 SiO2 表面。需要一般分為SiO2蝕刻（相對低選擇性）步驟和Si3N4蝕刻。這需要對 SiO2 有更高的選擇性才能在下面的 SiO2 表面停止。通常，SiO2使用碳氟比相對較低的蝕刻氣體如CF4/CHF3蝕刻，而Si3N4蝕刻使用碳氟比高的蝕刻氣體如CH2F2。

表面活化將表面自由基與原子或化學(xué)官能團(tuán)重新結(jié)合，CCP等離子體表面處理機(jī)器形成與材料表面官能團(tuán)不同的基團(tuán)，從而獲得不同性質(zhì)的表面，實(shí)現(xiàn)表面改性。等離子體誘導(dǎo)的材料表面功能化可以為表面改性和后續(xù)加工程序提供基礎(chǔ)。獲取具有各種特殊屬性的材料表面，例如嫁接、粘合和其他生物應(yīng)用。目前常用的低溫等離子體對塑料表面改性的方法主要有極性基團(tuán)引入、等離子體誘導(dǎo)表面聚合、接枝反應(yīng)等，如塑料粘附性、塑料生物相容性、塑料表面導(dǎo)電率等。

(1)化學(xué)反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)中常用的氣體有氫氣(H2)、氧氣(O2)、甲烷(CF4)。這些氣體在等離子體中反應(yīng)形成高反應(yīng)性自由基。公式為：它進(jìn)一步與這些自由基材料的表面反應(yīng)。反應(yīng)機(jī)理主要是利用等離子體中的自由基與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，CCP等離子體表面處理機(jī)器壓力高時(shí)有利于自由基的產(chǎn)生，壓力開始反應(yīng)。

等離子體中的粒子能量一般在幾到10電子伏左右，CCP等離子刻蝕機(jī)大于高分子材料的結(jié)合能（數(shù)到10電子伏），可以完全破壞有機(jī)物。大分子中的化學(xué)鍵形成新的鍵，但遠(yuǎn)低于高能放射線，只包含材料表面，不影響基體的性能。等離子表面處理設(shè)備技術(shù)在塑料和橡膠（陶瓷、玻璃）行業(yè)的應(yīng)用：聚丙烯、聚四氟乙烯等橡膠和塑料材料是非極性的，這些材料的印刷、粘合、印刷無需等離子表面處理設(shè)備、涂層等作用，非常差，甚至不可能。

CCP等離子體表面處理機(jī)器

CF4流量和O2流量對清洗效果影響很大。將兩個(gè)比值調(diào)大（0.4左右），增加單位時(shí)間的總流量（最大350 cm3/min），清洗效果會提高。等離子表面處理設(shè)備需要嚴(yán)格控制處理時(shí)間，并能以適當(dāng)?shù)那逑磿r(shí)間滿足生產(chǎn)要求。連續(xù)清洗的時(shí)間越長，孔壁超過孔直徑設(shè)計(jì)值的時(shí)間越長，成本增加。同時(shí)。使用等離子表面處理設(shè)備清潔后，可以（活化）對產(chǎn)品表面進(jìn)行改性，以提高剛撓結(jié)合板的性能。

CCP等離子體表面處理機(jī)器