例如，二氧化硅等離子清洗有機污染物可以通過氧等離子體有效去除，氧氣與污染物反應(yīng)產(chǎn)生二氧化碳、一氧化碳和水。等離子體化學(xué)清洗具有較高的清洗速度和腐蝕性。一般來說，化學(xué)反應(yīng)可以更好地去除有機污染物，但最大的缺點是氧化物可以在基質(zhì)上形成，并用于許多應(yīng)用。壓力:工藝容器壓力是氣體流量、產(chǎn)品流量和泵速的函數(shù)。工藝氣體的選擇決定了等離子體清洗的機理(物理、化學(xué)或物理/化學(xué))，最終決定了流動速度和工藝壓力狀態(tài)。

采用等離子體處理提高粉末的親水性。的主要過程是物理或化學(xué)反應(yīng)的粒子表面粉末與反應(yīng)氣體如他,Ar,氧氣,二氧化碳,氨,等治療的過程中,粒子的等離子體將粒子的表面相互作用,腐蝕或退化的粉末粒子,在顆粒表面形成活性基團，二氧化硅等離子清洗改善了粉末顆粒的親水表面。氣相沉積的過程與電鍍相似，只是電鍍需要水，而氣相沉積需要氣相沉積。

氧氣被用來將不揮發(fā)的有機物清潔成揮發(fā)性的形式，二氧化硅等離子清洗產(chǎn)生二氧化碳、一氧化碳和水?；瘜W(xué)清洗的優(yōu)點是清洗速度快，選擇性好，對有機污染物的清洗更有效，主要缺點是生成的氧化物可能會在材料表面再次形成。氧化物在鉛鍵合過程中是最不理想的，通過適當選擇工藝參數(shù)可以避免這些缺陷。。等離子體和電暈處理是不一樣的，電暈只能處理很薄的東西，比如塑料薄膜，比如要求處理體積不能大的東西，對于大面積處理。

氧氣被用來將不揮發(fā)的有機物清潔成揮發(fā)性的形式，二氧化硅等離子清洗機器產(chǎn)生二氧化碳、一氧化碳和水?；瘜W(xué)清洗的優(yōu)點是清洗速度快，選擇性好，對有機污染物的清洗更有效，主要缺點是生成的氧化物可能會在材料表面再次形成。氧化物在鉛鍵合過程中是最不理想的，這些缺陷可以通過適當選擇工藝參數(shù)來避免。1.2基于物理反應(yīng)的清洗利用等離子體中的離子進行純粹的物理碰撞去除附著在材料表面的原子，也稱為濺射腐蝕(SPE)。

二氧化硅等離子清洗

工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達到清洗的目的和改善表面滲透和附著力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長，穿透性和滲透性強，可以用細管和盲孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)進行處理。

但不同的是，焚燒是在低溫下進行的。在氧等離子體中氧自由基、激發(fā)態(tài)氧分子、電子、紫外線的共同作用下，油分子最終被氧化為水分子和二氧化碳分子，并從物體表面去除。由此可見，等離子體去除油漬的過程是一個有機大分子逐漸降解的過程，最終形成水、二氧化碳等小分子，這些小分子以氣態(tài)的方式被清掃起來。

等離子清洗機不會對表面造成損傷，保證表面質(zhì)量;因為是真空清洗，不會對環(huán)境造成二次污染，保證清洗后的表面不會受到二次污染。等離子體清洗機加工過程是一個干式過程，與濕式過程相比，它有很多好處，這是由等離子體本身的性質(zhì)決定的。整體中性等離子體由高壓電離產(chǎn)生，活性高，能不斷與物質(zhì)表面的原子發(fā)生反應(yīng)，使表面物質(zhì)不斷被激發(fā)成氣態(tài)物質(zhì)并揮發(fā)出來，從而達到清洗的目的。在材料表面處理過程中具有很好的實用性。

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二氧化硅等離子清洗

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