二氧化碳轉(zhuǎn)換的順序是:Ni0 / Y-Al2O3>二氧化鈦/ Y-Al2O3> Co2O3 / Y-Al2O3> Na2WO4 Fe2O3 / Y / Y -氧化鋁材料- - - - - -氧化鋁和gt; Re2O7 Cr2O3 / Y / Y -氧化鋁材料- - - - - -氧化鋁和gt; Mn2O3 MoO3 / Y / Y -氧化鋁材料- - - - - -氧化鋁和gt;氧化鋅/ Y -氧化鋁。

等離子體產(chǎn)生的氧自由基具有很強的活性，二氧化硅等離子體去膠機器容易與碳氫化合物發(fā)生反應，產(chǎn)生二氧化碳、一氧化碳和水等揮發(fā)性物質(zhì)，從而清除表面污染物。

為了解決這一問題，二氧化硅plasma活化機許多學者花了近10年的時間研究了兩種提高二氧化硅薄膜駐極體儲存電荷穩(wěn)定性的方法。首先，20世紀90年代初荷蘭學者提出的化學改性方法，即將集成電路工藝中常用的表面疏水劑(HMDS)均勻地涂覆在二氧化硅膜的表面，使二氧化硅表面由親水變?yōu)槭杷?。疏水處理的sio2薄膜具有較好的電荷穩(wěn)定性。

二氧化碳濃度越高，二氧化硅plasma活化機體系中活性氧種類越多，C2H2的c-H鍵和C-C鍵在活性氧的作用下更容易斷裂。因此，C2H2的轉(zhuǎn)化率隨著co2濃度的增加而增加。隨著二氧化碳加入量的增加，C2H2和C2H4的產(chǎn)率呈峰形變化。低濃度促進二氧化碳生成乙炔,C2H4,而高二氧化碳濃度會導致活性氧的數(shù)量的增加,促進完整的碳氫鍵斷裂和乙炔的碳碳鍵,和公司之間形成的C自由基和活性氧。

二氧化硅plasma活化機

工件表面上的污染物,如油脂、通量,膠卷,脫模劑,沖壓油,等等,很快就會被氧化成二氧化碳和水,并將由真空泵抽離,從而達到清洗的目的和改善表面滲透和附著力。低溫等離子體處理只涉及材料的表面，不影響材料的性能。由于等離子體清洗是在高真空條件下進行的，等離子體中各種活性離子自由路徑長，穿透性和滲透性強，可以用細管和盲孔等復雜結(jié)構(gòu)進行處理。

這是因為焊盤和厚膜導體上的雜質(zhì)污染是導致鉛焊接性和可靠性降低的主要原因。任何環(huán)節(jié)都可能導致污染，包括芯片、切肉刀和金絲。如果直接粘接而不及時清洗處理會造成虛焊、拆焊和粘接強度低等缺陷。使用Ar和H2的混合物進行幾十秒的在線等離子清洗(點擊這里了解更多)，污染物會發(fā)生反應，形成揮發(fā)性二氧化碳和水。由于等離子體清洗時間短，可以在不破壞結(jié)合區(qū)周圍鈍化層的情況下去除污染物。

是一家專業(yè)從事等離子體表面處理設備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術企業(yè)。

二、真空等離子清洗機包裝工藝:將設備主體及所有拆下的配件先用纏繞膜包裹。然后在下一層涂上一定厚度的珍珠棉。然后再用纏繞膜包裹另一層，以提供足夠的保護，如下圖所示。為防止等離子清洗機在復雜的運輸過程中因震動等原因而損壞，通常采用木箱包裝。在這個過程中，需要用起重機或叉車將包裹好的等離子清洗機放在木架上，用木塊鎖住設備腳輪，防止滑動。固定效果如下圖所示。真空等離子清洗機的真空泵需要單獨包裝，不能倒置。

二氧化硅等離子體去膠機器

涂裝設備及涂裝工藝選擇廣泛的涂裝工藝包括:開卷→拼接→拉伸→張力控制→涂裝→烘干→糾偏→張力控制→糾偏→卷繞等。涂裝工藝復雜，二氧化硅等離子體去膠機器有很多因素同時影響涂裝效果，如:涂裝設備的制造精度,設備運行的平滑度和動態(tài)張力在涂層過程中,控制風量的大小和溫度控制過程中干燥曲線會影響涂層的影響,所以選擇合適的涂層工藝是非常重要的。

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